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| 数据手册 | SIHP35N60E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 88 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,750
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.4859
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.4859 | ￥37.4859 |
| 10+ | ￥31.4131 | ￥314.1310 |
| 100+ | ￥26.4596 | ￥2,645.9600 |
| 250+ | ￥25.9660 | ￥6,491.5000 |
| 500+ | ￥24.3531 | ￥12,176.5500 |
| 1,000+ | ￥19.7698 | ￥19,769.8000 |
| 2,000+ | ￥18.7738 | ￥37,547.6000 |
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