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| 数据手册 | IXTB62N50L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 800 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,783
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥254.7863
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥254.7863 | ￥254.7863 |
| 5+ | ￥252.4947 | ￥1,262.4735 |
| 10+ | ￥237.6871 | ￥2,376.8710 |
| 25+ | ￥226.2906 | ￥5,657.2650 |
| 50+ | ￥223.1881 | ￥11,159.4050 |
| 100+ | ￥199.2052 | ￥19,920.5200 |
| 250+ | ￥198.4031 | ￥49,600.7750 |
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