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    TPH6400ENH,L1Q

    MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOP-Advance-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVIII-H
    配置 Single
    Pd-功率耗散 57 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 13 A
    Rds On-漏源导通电阻 54 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 4 V
    Qg-栅极电荷 11.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,164

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.5456
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.5456 ¥9.5456
    10+ ¥8.3028 ¥83.0280
    100+ ¥6.2579 ¥625.7900
    500+ ¥5.3325 ¥2,666.2500
    2,500+ ¥4.3894 ¥10,973.5000
    5,000+ ¥4.0192 ¥20,096.0000
    10,000+ ¥3.8605 ¥38,605.0000

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