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| 数据手册 | FDP032N08B-F102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 263 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 211 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.85 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 111 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,063
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.8652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.8652 | ￥15.8652 |
| 10+ | ￥13.4502 | ￥134.5020 |
| 100+ | ￥10.4710 | ￥1,047.1000 |
| 250+ | ￥10.1625 | ￥2,540.6250 |
| 500+ | ￥8.8581 | ￥4,429.0500 |
| 1,000+ | ￥7.5624 | ￥7,562.4000 |
| 2,500+ | ￥7.3773 | ￥18,443.2500 |
| 5,000+ | ￥6.9366 | ￥34,683.0000 |
| 10,000+ | ￥6.6898 | ￥66,898.0000 |
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