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| 数据手册 | IXTN8N150L 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 545 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 250 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,473
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥233.7208
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥233.7208 | ￥233.7208 |
| 5+ | ￥233.3507 | ￥1,166.7535 |
| 10+ | ￥225.9116 | ￥2,259.1160 |
| 25+ | ￥208.9359 | ￥5,223.3975 |
| 50+ | ￥202.7396 | ￥10,136.9800 |
| 100+ | ￥182.7935 | ￥18,279.3500 |
| 200+ | ￥176.2800 | ￥35,256.0000 |
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