CSD25213W10
MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
- 制造商：
- Texas Instruments
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CSD25213W10 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DSBGA-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | NexFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 6 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 67 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 850 mV |
| Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,659
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.6001
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.6001 | ￥2.6001 |
| 10+ | ￥1.9479 | ￥19.4790 |
| 100+ | ￥1.2075 | ￥120.7500 |
| 500+ | ￥1.1370 | ￥568.5000 |
| 3,000+ | ￥0.6813 | ￥2,043.9000 |
| 9,000+ | ￥0.6135 | ￥5,521.5000 |
| 24,000+ | ￥0.6073 | ￥14,575.2000 |
| 45,000+ | ￥0.5703 | ￥25,663.5000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
