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| 数据手册 | IPI110N20N3 G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 88 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 10.7 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 65 nC |
库存：54,692
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥38.1029
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.1029 | ￥38.1029 |
| 10+ | ￥32.8410 | ￥328.4100 |
| 100+ | ￥28.6279 | ￥2,862.7900 |
| 250+ | ￥24.3531 | ￥6,088.2750 |
| 500+ | ￥23.6039 | ￥11,801.9500 |
| 1,000+ | ￥21.9380 | ￥21,938.0000 |
| 2,500+ | ￥21.2506 | ￥53,126.5000 |
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