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| 数据手册 | FDU6N25 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 6 nC |
库存：59,283
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9663
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.9663 | ￥3.9663 |
| 10+ | ￥3.1642 | ￥31.6420 |
| 100+ | ￥2.2299 | ￥222.9900 |
| 500+ | ￥1.8245 | ￥912.2500 |
| 1,000+ | ￥1.4896 | ￥1,489.6000 |
| 2,500+ | ￥1.2604 | ￥3,151.0000 |
| 10,000+ | ￥1.1987 | ￥11,987.0000 |
| 25,000+ | ￥1.1546 | ￥28,865.0000 |
| 50,000+ | ￥1.1282 | ￥56,410.0000 |
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