| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
50 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
250 V |
| Id-连续漏极电流 |
4.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
1.1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
5 V |
| Qg-栅极电荷 |
6 nC |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9663
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥3.9663 |
￥3.9663 |
|
10+
|
￥3.1642 |
￥31.6420 |
|
100+
|
￥2.2299 |
￥222.9900 |
|
500+
|
￥1.8245 |
￥912.2500 |
|
1,000+
|
￥1.4896 |
￥1,489.6000 |
|
2,500+
|
￥1.2604 |
￥3,151.0000 |
|
10,000+
|
￥1.1987 |
￥11,987.0000 |
|
25,000+
|
￥1.1546 |
￥28,865.0000 |
|
50,000+
|
￥1.1282 |
￥56,410.0000 |
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