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| 数据手册 | FQN1N60CTA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,378
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.2259
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.2259 | ￥3.2259 |
| 10+ | ￥2.5913 | ￥25.9130 |
| 100+ | ￥1.8245 | ￥182.4500 |
| 500+ | ￥1.5072 | ￥753.6000 |
| 1,000+ | ￥1.2163 | ￥1,216.3000 |
| 2,000+ | ￥1.0577 | ￥2,115.4000 |
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