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    IRFU210PBF

    MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET I-PAK

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IRFU210PBF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-251-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 25 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 2.6 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.5 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 8.2 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,107

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.0152
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.0152 ¥5.0152
    10+ ¥4.9887 ¥49.8870
    100+ ¥4.6009 ¥460.0900
    500+ ¥4.4775 ¥2,238.7500
    3,000+ ¥3.4286 ¥10,285.8000
    6,000+ ¥3.2612 ¥19,567.2000

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