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| 数据手册 | ISP13DP06NMSATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-223-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| Qg-栅极电荷 | - 20.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,602
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.0152
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.0152 | ￥5.0152 |
| 10+ | ￥4.1426 | ￥41.4260 |
| 100+ | ￥2.8910 | ￥289.1000 |
| 1,000+ | ￥2.1330 | ￥2,133.0000 |
| 3,000+ | ￥1.8862 | ￥5,658.6000 |
| 9,000+ | ￥1.8245 | ￥16,420.5000 |
| 24,000+ | ￥1.7716 | ￥42,518.4000 |
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