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| 数据手册 | FQNL2N50BTA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,445
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9046
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.9046 | ￥3.9046 |
| 10+ | ￥3.1025 | ￥31.0250 |
| 100+ | ￥2.1947 | ￥219.4700 |
| 500+ | ￥1.8069 | ￥903.4500 |
| 2,000+ | ￥1.2428 | ￥2,485.6000 |
| 10,000+ | ￥1.1811 | ￥11,811.0000 |
| 24,000+ | ￥1.1370 | ￥27,288.0000 |
| 50,000+ | ￥1.1106 | ￥55,530.0000 |
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