| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 40 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-262-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
CoolMOS |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
68 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
700 V |
| Id-连续漏极电流 |
7.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
860 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
15.3 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.1386
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥5.1386 |
￥5.1386 |
|
10+
|
￥4.3453 |
￥43.4530 |
|
100+
|
￥3.2259 |
￥322.5900 |
|
500+
|
￥2.7676 |
￥1,383.8000 |
|
1,000+
|
￥2.2476 |
￥2,247.6000 |
|
2,500+
|
￥2.2211 |
￥5,552.7500 |
|
10,000+
|
￥2.0625 |
￥20,625.0000 |
|
25,000+
|
￥2.0008 |
￥50,020.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
