| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
2.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
800 V |
| Id-连续漏极电流 |
1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
20 Ohms |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.1386
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥5.1386 |
￥5.1386 |
|
10+
|
￥4.3629 |
￥43.6290 |
|
100+
|
￥3.3053 |
￥330.5300 |
|
250+
|
￥3.1995 |
￥799.8750 |
|
500+
|
￥2.7764 |
￥1,388.2000 |
|
1,000+
|
￥2.2564 |
￥2,256.4000 |
|
2,500+
|
￥2.2211 |
￥5,552.7500 |
|
5,000+
|
￥2.0272 |
￥10,136.0000 |
|
10,000+
|
￥1.9303 |
￥19,303.0000 |
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