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| 数据手册 | FQU10N20CTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,280
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2091
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2091 | ￥5.2091 |
| 10+ | ￥4.3100 | ￥43.1000 |
| 100+ | ￥3.0144 | ￥301.4400 |
| 500+ | ￥2.6089 | ￥1,304.4500 |
| 1,000+ | ￥2.2211 | ￥2,221.1000 |
| 2,500+ | ￥2.0801 | ￥5,200.2500 |
| 5,000+ | ￥1.9215 | ￥9,607.5000 |
| 10,000+ | ￥1.7892 | ￥17,892.0000 |
| 25,000+ | ￥1.7364 | ￥43,410.0000 |
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