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| 数据手册 | TPN22006NH,LQ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TSON-Advance-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 18 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,722
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2708
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2708 | ￥5.2708 |
| 10+ | ￥4.4951 | ￥44.9510 |
| 100+ | ￥2.6354 | ￥263.5400 |
| 1,000+ | ￥2.2211 | ￥2,221.1000 |
| 3,000+ | ￥1.8421 | ￥5,526.3000 |
| 9,000+ | ￥1.7011 | ￥15,309.9000 |
| 24,000+ | ￥1.6747 | ￥40,192.8000 |
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