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    IPL65R1K5C6SATMA1

    MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPL65R1K5C6SATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 ThinPAK-56-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 26.6 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 3 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.5 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 11 nC

    库存:57,869

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.8132
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.8132 ¥6.8132
    10+ ¥5.8261 ¥58.2610
    100+ ¥4.3277 ¥432.7700
    500+ ¥3.7019 ¥1,850.9500
    5,000+ ¥2.7059 ¥13,529.5000
    10,000+ ¥2.6178 ¥26,178.0000
    25,000+ ¥2.6001 ¥65,002.5000

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