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| 数据手册 | FQP11P06 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 53 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 11.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,749
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.6410
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.6410 | ￥5.6410 |
| 10+ | ￥4.8036 | ￥48.0360 |
| 100+ | ￥3.5961 | ￥359.6100 |
| 250+ | ￥3.4903 | ￥872.5750 |
| 500+ | ￥3.0585 | ￥1,529.2500 |
| 1,000+ | ￥2.4855 | ￥2,485.5000 |
| 2,000+ | ￥2.4062 | ￥4,812.4000 |
| 5,000+ | ￥2.3445 | ￥11,722.5000 |
| 10,000+ | ￥2.1242 | ￥21,242.0000 |
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