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| 数据手册 | FQP3N30 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,691
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.8261
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.8261 | ￥5.8261 |
| 10+ | ￥4.9535 | ￥49.5350 |
| 100+ | ￥3.7195 | ￥371.9500 |
| 250+ | ￥3.6049 | ￥901.2250 |
| 500+ | ￥3.1466 | ￥1,573.3000 |
| 1,000+ | ￥2.5649 | ￥2,564.9000 |
| 2,000+ | ￥2.5296 | ￥5,059.2000 |
| 5,000+ | ￥2.4150 | ￥12,075.0000 |
| 10,000+ | ￥2.1947 | ￥21,947.0000 |
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