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| 数据手册 | FQI5N60CTU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,903
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.3196
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.3196 | ￥6.3196 |
| 10+ | ￥5.3854 | ￥53.8540 |
| 100+ | ￥4.0985 | ￥409.8500 |
| 250+ | ￥4.0016 | ￥1,000.4000 |
| 500+ | ￥3.3758 | ￥1,687.9000 |
| 1,000+ | ￥2.7852 | ￥2,785.2000 |
| 2,000+ | ￥2.7059 | ￥5,411.8000 |
| 5,000+ | ￥2.4944 | ￥12,472.0000 |
| 10,000+ | ￥2.3886 | ￥23,886.0000 |
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