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| 数据手册 | FQI50N06TU 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,875
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.2539
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.2539 | ￥7.2539 |
| 10+ | ￥6.1962 | ￥61.9620 |
| 100+ | ￥4.7243 | ￥472.4300 |
| 250+ | ￥4.6097 | ￥1,152.4250 |
| 500+ | ￥3.8958 | ￥1,947.9000 |
| 1,000+ | ￥3.2171 | ￥3,217.1000 |
| 2,000+ | ￥3.1202 | ￥6,240.4000 |
| 5,000+ | ￥2.8822 | ￥14,411.0000 |
| 10,000+ | ￥2.7412 | ￥27,412.0000 |
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