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数据手册 | FQPF19N10 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | QFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 38 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 25 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 13.6 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,822
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥7.3156
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥7.3156 | ¥7.3156 |
10+ | ¥6.1962 | ¥61.9620 |
100+ | ¥4.7331 | ¥473.3100 |
250+ | ¥4.6185 | ¥1,154.6250 |
500+ | ¥3.9046 | ¥1,952.3000 |
1,000+ | ¥3.2259 | ¥3,225.9000 |
2,000+ | ¥3.1202 | ¥6,240.4000 |
5,000+ | ¥2.8910 | ¥14,455.0000 |
10,000+ | ¥2.7500 | ¥27,500.0000 |
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