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    SQ4435EY-T1_GE3

    MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SQ4435EY-T1_GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    资格 AEC-Q101
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 SO-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 6.8 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 15 A
    Rds On-漏源导通电阻 13 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 58 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,731

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥7.9326
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥7.9326 ¥7.9326
    10+ ¥6.8749 ¥68.7490
    100+ ¥5.3325 ¥533.2500
    500+ ¥4.5040 ¥2,252.0000
    1,000+ ¥3.5609 ¥3,560.9000
    2,500+ ¥3.3493 ¥8,373.2500

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