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| 数据手册 | FQP15P12 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,895
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.7475
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.7475 | ￥7.7475 |
| 10+ | ￥6.5664 | ￥65.6640 |
| 100+ | ￥5.0416 | ￥504.1600 |
| 250+ | ￥4.9182 | ￥1,229.5500 |
| 500+ | ￥4.1602 | ￥2,080.1000 |
| 1,000+ | ￥3.4286 | ￥3,428.6000 |
| 2,000+ | ￥3.3317 | ￥6,663.4000 |
| 5,000+ | ￥3.0761 | ￥15,380.5000 |
| 10,000+ | ￥2.9351 | ￥29,351.0000 |
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