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| 数据手册 | FCP650N80Z 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperFET II |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 162 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,429
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥11.8989
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.8989 | ￥11.8989 |
| 10+ | ￥10.1008 | ￥101.0080 |
| 100+ | ￥7.8709 | ￥787.0900 |
| 250+ | ￥7.6241 | ￥1,906.0250 |
| 500+ | ￥6.6281 | ￥3,314.0500 |
| 1,000+ | ￥5.6674 | ￥5,667.4000 |
| 2,500+ | ￥5.5881 | ￥13,970.2500 |
| 5,000+ | ￥5.1826 | ￥25,913.0000 |
| 10,000+ | ￥5.0592 | ￥50,592.0000 |
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