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| 数据手册 | IXTP90N055T2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,467
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.1946
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.1946 | ￥13.1946 |
| 10+ | ￥11.9606 | ￥119.6060 |
| 25+ | ￥10.6561 | ￥266.4025 |
| 50+ | ￥9.2988 | ￥464.9400 |
| 250+ | ￥7.7475 | ￥1,936.8750 |
| 500+ | ￥7.4390 | ￥3,719.5000 |
| 1,000+ | ￥6.1962 | ￥6,196.2000 |
| 2,500+ | ￥5.2003 | ￥13,000.7500 |
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