文档与媒体
| 数据手册 | TK56E12N1,S1X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | U-MOSVIII-H |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 168 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 112 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 69 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,019
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥10.7178
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.7178 | ￥10.7178 |
| 10+ | ￥8.6113 | ￥86.1130 |
| 100+ | ￥6.6281 | ￥662.8100 |
| 500+ | ￥5.8172 | ￥2,908.6000 |
| 1,000+ | ￥4.5921 | ￥4,592.1000 |
| 2,500+ | ￥4.0809 | ￥10,202.2500 |
| 10,000+ | ￥3.9222 | ￥39,222.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
