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| 数据手册 | IXTP05N100 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 17 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,957
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥15.6184
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.6184 | ￥15.6184 |
| 10+ | ￥14.1288 | ￥141.2880 |
| 25+ | ￥12.7010 | ￥317.5250 |
| 50+ | ￥11.0263 | ￥551.3150 |
| 100+ | ￥10.9029 | ￥1,090.2900 |
| 250+ | ￥8.9198 | ￥2,229.9500 |
| 500+ | ￥8.5496 | ￥4,274.8000 |
| 1,000+ | ￥7.1834 | ￥7,183.4000 |
| 2,500+ | ￥6.1522 | ￥15,380.5000 |
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