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| 数据手册 | FDA18N50 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 239 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,880
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.1609
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.1609 | ￥17.1609 |
| 10+ | ￥14.5607 | ￥145.6070 |
| 100+ | ￥11.4053 | ￥1,140.5300 |
| 250+ | ￥11.0263 | ￥2,756.5750 |
| 500+ | ￥9.6073 | ￥4,803.6500 |
| 1,000+ | ￥8.1794 | ￥8,179.4000 |
| 2,500+ | ￥7.9326 | ￥19,831.5000 |
| 5,000+ | ￥7.5007 | ￥37,503.5000 |
| 10,000+ | ￥7.2539 | ￥72,539.0000 |
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