| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-3PN-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
239 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
30 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
500 V |
| Id-连续漏极电流 |
19 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
265 mOhms |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.1609
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥17.1609 |
￥17.1609 |
|
10+
|
￥14.5607 |
￥145.6070 |
|
100+
|
￥11.4053 |
￥1,140.5300 |
|
250+
|
￥11.0263 |
￥2,756.5750 |
|
500+
|
￥9.6073 |
￥4,803.6500 |
|
1,000+
|
￥8.1794 |
￥8,179.4000 |
|
2,500+
|
￥7.9326 |
￥19,831.5000 |
|
5,000+
|
￥7.5007 |
￥37,503.5000 |
|
10,000+
|
￥7.2539 |
￥72,539.0000 |
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