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| 数据手册 | BUK755R4-100E,127 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 349 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,509
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.4693
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.4693 | ￥17.4693 |
| 10+ | ￥14.8075 | ￥148.0750 |
| 100+ | ￥11.8372 | ￥1,183.7200 |
| 500+ | ￥10.3476 | ￥5,173.8000 |
| 1,000+ | ￥8.6113 | ￥8,611.3000 |
| 2,500+ | ￥7.9943 | ￥19,985.7500 |
| 5,000+ | ￥7.6858 | ￥38,429.0000 |
| 10,000+ | ￥7.3773 | ￥73,773.0000 |
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