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| 数据手册 | FQA6N90C-F109 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PN-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | QFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 198 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,382
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥17.7867
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.7867 | ￥17.7867 |
| 10+ | ￥15.1160 | ￥151.1600 |
| 100+ | ￥11.7755 | ￥1,177.5500 |
| 250+ | ￥11.4053 | ￥2,851.3250 |
| 500+ | ￥9.9774 | ￥4,988.7000 |
| 1,000+ | ￥8.4262 | ￥8,426.2000 |
| 2,500+ | ￥8.1794 | ￥20,448.5000 |
| 5,000+ | ￥7.7475 | ￥38,737.5000 |
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