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| 数据手册 | IXTP1R4N120P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 13 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,109
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥27.0766
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.0766 | ￥27.0766 |
| 10+ | ￥24.1680 | ￥241.6800 |
| 25+ | ￥21.3123 | ￥532.8075 |
| 50+ | ￥18.5270 | ￥926.3500 |
| 100+ | ￥18.4653 | ￥1,846.5300 |
| 250+ | ￥16.2354 | ￥4,058.8500 |
| 500+ | ￥15.4950 | ￥7,747.5000 |
| 1,000+ | ￥13.5736 | ￥13,573.6000 |
| 2,500+ | ￥11.5904 | ￥28,976.0000 |
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