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数据手册 | IXTP230N075T2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 480 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Id-连续漏极电流 | 230 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
Qg-栅极电荷 | 178 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,997
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥33.8281
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥33.8281 | ¥33.8281 |
10+ | ¥30.2408 | ¥302.4080 |
25+ | ¥28.0109 | ¥700.2725 |
50+ | ¥24.3531 | ¥1,217.6550 |
250+ | ¥21.1889 | ¥5,297.2250 |
500+ | ¥20.0783 | ¥10,039.1500 |
1,000+ | ¥16.9141 | ¥16,914.1000 |
2,500+ | ¥14.4990 | ¥36,247.5000 |
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