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| 数据手册 | FCH110N65F-F155 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 98 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,108
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.1960
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.1960 | ￥28.1960 |
| 10+ | ￥23.9829 | ￥239.8290 |
| 100+ | ￥19.1440 | ￥1,914.4000 |
| 250+ | ￥18.0951 | ￥4,523.7750 |
| 500+ | ￥17.0375 | ￥8,518.7500 |
| 1,000+ | ￥14.9309 | ￥14,930.9000 |
| 2,500+ | ￥14.3756 | ￥35,939.0000 |
| 5,000+ | ￥13.6970 | ￥68,485.0000 |
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