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| 数据手册 | IXFH10N80P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,479
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.8747
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.8747 | ￥28.8747 |
| 10+ | ￥25.7721 | ￥257.7210 |
| 25+ | ￥22.4316 | ￥560.7900 |
| 50+ | ￥21.9997 | ￥1,099.9850 |
| 100+ | ￥21.1272 | ￥2,112.7200 |
| 250+ | ￥18.0334 | ￥4,508.3500 |
| 500+ | ￥16.3588 | ￥8,179.4000 |
| 1,000+ | ￥14.4373 | ￥14,437.3000 |
| 2,500+ | ￥12.3308 | ￥30,827.0000 |
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