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数据手册 | IXFH14N60P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,056
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥29.2449
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥29.2449 | ¥29.2449 |
10+ | ¥26.1511 | ¥261.5110 |
25+ | ¥22.7401 | ¥568.5025 |
50+ | ¥22.3082 | ¥1,115.4100 |
100+ | ¥21.4356 | ¥2,143.5600 |
250+ | ¥18.2802 | ¥4,570.0500 |
500+ | ¥17.3460 | ¥8,673.0000 |
1,000+ | ¥14.6224 | ¥14,622.4000 |
2,500+ | ¥12.5159 | ¥31,289.7500 |
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