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| 数据手册 | FCP190N60-GF102 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | SuperFET II |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V, 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 20.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
库存：50,008
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥16.5439
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.5439 | ￥16.5439 |
| 10+ | ￥14.0671 | ￥140.6710 |
| 100+ | ￥10.9646 | ￥1,096.4600 |
| 250+ | ￥10.6561 | ￥2,664.0250 |
| 500+ | ￥9.2283 | ￥4,614.1500 |
| 1,000+ | ￥7.9326 | ￥7,932.6000 |
| 2,500+ | ￥7.6858 | ￥19,214.5000 |
| 5,000+ | ￥7.2539 | ￥36,269.5000 |
| 10,000+ | ￥6.9983 | ￥69,983.0000 |
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