文档与媒体
数据手册 | IXTP220N04T2 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 360 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 220 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,029
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥21.5590
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥21.5590 | ¥21.5590 |
10+ | ¥19.5142 | ¥195.1420 |
25+ | ¥16.9758 | ¥424.3950 |
50+ | ¥14.6841 | ¥734.2050 |
100+ | ¥14.1905 | ¥1,419.0500 |
250+ | ¥12.0840 | ¥3,021.0000 |
500+ | ¥11.6521 | ¥5,826.0500 |
1,000+ | ¥10.1625 | ¥10,162.5000 |
2,500+ | ¥8.4879 | ¥21,219.7500 |
申请更低价? 请联系客服