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数据手册 | IXTH64N10L2 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | Linear L2 |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 357 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Id-连续漏极电流 | 64 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 100 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:53,541
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥49.3848
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥49.3848 | ¥49.3848 |
10+ | ¥44.1141 | ¥441.1410 |
25+ | ¥38.4202 | ¥960.5050 |
50+ | ¥37.6093 | ¥1,880.4650 |
100+ | ¥36.1903 | ¥3,619.0300 |
250+ | ¥30.9195 | ¥7,729.8750 |
500+ | ¥29.3066 | ¥14,653.3000 |
1,000+ | ¥24.7233 | ¥24,723.3000 |
2,500+ | ¥21.1889 | ¥52,972.2500 |
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