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| 数据手册 | IXFT86N30T 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,427
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥52.2935
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥52.2935 | ￥52.2935 |
| 10+ | ￥47.0932 | ￥470.9320 |
| 25+ | ￥37.3008 | ￥932.5200 |
| 50+ | ￥35.5028 | ￥1,775.1400 |
| 100+ | ￥34.7007 | ￥3,470.0700 |
| 250+ | ￥31.9067 | ￥7,976.6750 |
| 500+ | ￥29.1832 | ￥14,591.6000 |
| 1,000+ | ￥28.2577 | ￥28,257.7000 |
| 2,500+ | ￥24.2297 | ￥60,574.2500 |
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