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| 数据手册 | IXFT140N10P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 140 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 155 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,562
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥53.7213
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥53.7213 | ￥53.7213 |
| 10+ | ￥48.3889 | ￥483.8890 |
| 25+ | ￥40.2800 | ￥1,007.0000 |
| 50+ | ￥37.4242 | ￥1,871.2100 |
| 100+ | ￥34.6390 | ￥3,463.9000 |
| 250+ | ￥32.1623 | ￥8,040.5750 |
| 500+ | ￥30.0557 | ￥15,027.8500 |
| 1,000+ | ￥29.0598 | ￥29,059.8000 |
| 2,500+ | ￥24.8467 | ￥62,116.7500 |
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