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数据手册 | IXTQ69N30P 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Id-连续漏极电流 | 69 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
库存:57,003
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥54.8407
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥54.8407 | ¥54.8407 |
10+ | ¥49.3231 | ¥493.2310 |
25+ | ¥41.0204 | ¥1,025.5100 |
50+ | ¥35.9964 | ¥1,799.8200 |
100+ | ¥35.3177 | ¥3,531.7700 |
250+ | ¥32.8410 | ¥8,210.2500 |
500+ | ¥30.6727 | ¥15,336.3500 |
1,000+ | ¥29.6150 | ¥29,615.0000 |
2,500+ | ¥25.3403 | ¥63,350.7500 |
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