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| 数据手册 | IXTJ4N150 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 44.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,193
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥64.6242
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥64.6242 | ￥64.6242 |
| 10+ | ￥58.1812 | ￥581.8120 |
| 25+ | ￥46.0972 | ￥1,152.4300 |
| 50+ | ￥44.9867 | ￥2,249.3350 |
| 100+ | ￥43.9290 | ￥4,392.9000 |
| 250+ | ￥40.0861 | ￥10,021.5250 |
| 500+ | ￥36.5605 | ￥18,280.2500 |
| 1,000+ | ￥34.8858 | ￥34,885.8000 |
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