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| 数据手册 | IXTT110N10P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,882
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥38.6053
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.6053 | ￥38.6053 |
| 10+ | ￥32.7793 | ￥327.7930 |
| 100+ | ￥28.4428 | ￥2,844.2800 |
| 250+ | ￥26.9532 | ￥6,738.3000 |
| 500+ | ￥24.2297 | ￥12,114.8500 |
| 1,000+ | ￥20.3868 | ￥20,386.8000 |
| 2,500+ | ￥19.3908 | ￥48,477.0000 |
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