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| 数据手册 | IXTQ10P50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,786
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥40.4034
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥40.4034 | ￥40.4034 |
| 10+ | ￥36.1198 | ￥361.1980 |
| 25+ | ￥31.4131 | ￥785.3275 |
| 50+ | ￥27.7553 | ￥1,387.7650 |
| 100+ | ￥26.8915 | ￥2,689.1500 |
| 250+ | ￥23.6656 | ￥5,916.4000 |
| 500+ | ￥22.7401 | ￥11,370.0500 |
| 1,000+ | ￥20.0166 | ￥20,016.6000 |
| 2,500+ | ￥17.2226 | ￥43,056.5000 |
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