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| 数据手册 | IXTQ82N25P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 82 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,988
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥45.0484
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥45.0484 | ￥45.0484 |
| 10+ | ￥40.5268 | ￥405.2680 |
| 25+ | ￥32.1006 | ￥802.5150 |
| 50+ | ￥30.5493 | ￥1,527.4650 |
| 100+ | ￥29.8618 | ￥2,986.1800 |
| 250+ | ￥27.4468 | ￥6,861.7000 |
| 500+ | ￥25.0935 | ￥12,546.7500 |
| 1,000+ | ￥24.2914 | ￥24,291.4000 |
| 2,500+ | ￥20.8187 | ￥52,046.7500 |
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