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| 数据手册 | IXFT36N50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,112
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥45.4185
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥45.4185 | ￥45.4185 |
| 10+ | ￥41.0204 | ￥410.2040 |
| 25+ | ￥40.2800 | ￥1,007.0000 |
| 50+ | ￥38.9138 | ￥1,945.6900 |
| 100+ | ￥32.4091 | ￥3,240.9100 |
| 500+ | ￥28.6279 | ￥14,313.9500 |
| 1,000+ | ￥25.7104 | ￥25,710.4000 |
| 2,500+ | ￥25.3403 | ￥63,350.7500 |
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