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| 数据手册 | IXFT26N60P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 460 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,635
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥47.3400
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥47.3400 | ￥47.3400 |
| 10+ | ￥42.6333 | ￥426.3330 |
| 25+ | ￥35.4411 | ￥886.0275 |
| 50+ | ￥32.9644 | ￥1,648.2200 |
| 100+ | ￥32.2240 | ￥3,222.4000 |
| 250+ | ￥29.3682 | ￥7,342.0500 |
| 500+ | ￥26.7681 | ￥13,384.0500 |
| 1,000+ | ￥25.5253 | ￥25,525.3000 |
| 2,500+ | ￥21.8763 | ￥54,690.7500 |
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