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| 数据手册 | IXTH3N120 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,396
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥47.7719
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥47.7719 | ￥47.7719 |
| 10+ | ￥42.6950 | ￥426.9500 |
| 25+ | ￥33.4579 | ￥836.4475 |
| 250+ | ￥29.8618 | ￥7,465.4500 |
| 500+ | ￥28.3811 | ￥14,190.5500 |
| 1,000+ | ￥23.9212 | ￥23,921.2000 |
| 2,500+ | ￥20.5102 | ￥51,275.5000 |
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