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| 数据手册 | IXTA16N50P 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,458
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥23.6656
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.6656 | ￥23.6656 |
| 10+ | ￥21.1889 | ￥211.8890 |
| 25+ | ￥19.5759 | ￥489.3975 |
| 50+ | ￥17.0375 | ￥851.8750 |
| 250+ | ￥14.0671 | ￥3,516.7750 |
| 500+ | ￥13.4502 | ￥6,725.1000 |
| 1,000+ | ￥11.8372 | ￥11,837.2000 |
| 2,500+ | ￥10.1008 | ￥25,252.0000 |
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